| Grundlagen der Halbleiter | Feldeffekttransistoren: Eigenschaften, Funktion |
| Atommodell, Elektronenpaarbindung, Kristallgitter | Grundschaltungen des FET, Praxis mit FETs |
| Wechselwirkung, Bändermodell, Fermi-Statistik | JFET: Kennlinien, Beschreibung durch Gleichungen |
| Quanten und Wellen, Rekombination, Eigenleitung | MOSFET: Aufbau und Wirkungsweise, Kennlinien |
| Beweglichkeit, Dotieren, Störstellenleitung | Modelle und Ersatzschaltungen des FET |
| pn-Übergang, Ladungsträger-, Raumladungsdichte | Rauschen, Grenzdaten und Sperrströme |
| Diffusionsspannung, Sperrschichtkapazität | Schaltstufen mit FET, dynamisches Verhalten |
| Energiebänder-Modell, Durchbruchmechanismen | Leistungs-MOSFETs, spezielle Bauformen |
| Schaltverhalten des pn-Übergangs, Kennlinie | IGBT: NPT- und PT-Struktur, Funktionsweise |
| Halbleiterdioden: Ausführung, Aufbau, Funktion | IGBT Latch-Up, Kennlinien, Schaltverhalten |
| Diodenkennlinie, Beschreibung durch Gleichungen | Thyristoren: Einteilung, Funktionsweise |
| Kleinsignal- und Schaltverhalten von Dioden | Zünden und Löschen des Thyristors, Dynamik |
| Temperaturabhängigkeit der Diodenparameter | TRIAC, GTO, MCT, LTT, FCT, GCT, IGCT, UJT |
| Kenn- und Grenzdaten, Aufbau von Dioden | Operationsverstärker: Ausführungsformen |
| Herstellungsmethoden für pn-Übergänge | Differenz- und Leerlaufspannungsverstärkung |
| Diodentypen, Gleichrichter-, Schottky-, Zenerdiode | Übertragungskennlinie, Ein-, Ausgangswiderstände |
| Suppressordiode, DIAC, LED, OLED, Laserdiode | Gegenkopplung, Frequenzgangkorrektur |
| Fotodiode, Solarzelle, Kapazitäts-, pin-, Tunneldiode | Anstiegsgeschwindigkeit, Einschwingzeit, Rauschen |
| Gunn-, IMPATT-, TRAPATT-, BARITT-, DOVETT-Diode | Idealer Operationsverstärker, Kenngrößen |
| Ladungsspeicherungs-, Magnetdiode | Interner Aufbau von Operationsverstärkern |
| Bipolare Transistoren: Klassifizierung, Aufbau | Grundlagen integrierter Halbleiterschaltungen |
| Grundschaltungen des Bipolartransistors | Kenngrößen digitaler Schaltkreise, Logikbaureihen |
| Kennlinien des Transistors | RTL, DTL, ECL, I2L, TTL, MOS-Familien |
| Durchbruchsarten, Grenzwerte | Halbleiterspeicher: Einteilung, Aufbau |
| Rauschen beim Bipolartransistor | Speicherorganisation, Tabellen-, Festwertspeicher |
| Beschreibung durch Gleichungen | Masken-ROM, PROMs, MRAM, FRAM, SRAM, DRAM |
| Schaltverhalten, Ersatzschaltungen | Anwendungsspezifische integrierte Bausteine |
| Aufbau und Herstellungsverfahren | Einsatz und Einteilung von ASICs, Gate Array |
| Hetero-Bipolartransistor, Darlington-Transistor | Entwurfsablauf und Test von ASICs |
| Schalt- und Kleinsignalverhalten | PAL, GAL, CPLD, FPGA |